特許

J-GLOBAL ID：200903090652351039

半導体発光装置の製造方法

発明者： 山本 直
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-350546
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190128
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 すぐれた温度特性を有し、低しきい値電流Ith、低動作電流IOp、高信頼性を有する多重量子障壁構造層を有する半導体発光装置を得ることができるようにする。【解決手段】 多重量子障壁構造層が、縦構造中に有する半導体発光装置の製造方法において、その多重量子障壁構造層の成膜を、原子層エピタキシー法によって形成する。

請求項（抜粋）：

多重量子障壁構造層が、縦構造中に有する半導体発光装置の製造方法において、上記多重量子障壁構造層の成膜を、原子層エピタキシー法によって形成することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。