特許

J-GLOBAL ID：200903090656083446

表面元素分析装置および分析方法

発明者： 志知 広康 ,  須賀 三雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-364062
公開番号（公開出願番号）：特開2000-187011
出願日： 1998年12月22日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：

【要約】【課題】極表面元素の濃度情報または結合状態情報を超高深さ分解能で得るのに好適な表面元素分析の方法および装置を提供する。【解決手段】一次荷電粒子線の試料への照射時には試料から放出される二次荷電粒子を分析器に導く電界もしくは磁界を印加せず、一次荷電粒子線を試料へ照射しない時に上記二次荷電粒子を分析器に導く電界もしくは磁界を印加する。

請求項（抜粋）：

荷電粒子線を試料に照射し、試料から放出される荷電粒子を電界もしくは磁界で分析器に導き、これを検出して試料表面の元素の濃度情報もしくは表面元素の結合状態情報を得る表面元素分析装置において、試料から放出される荷電粒子を分析器に導くための電界強度もしくは磁界強度を、荷電粒子線の試料照射時と試料から放出される荷電粒子を分析器に導く時とにおいて異なる強度とすることを特徴とする表面元素分析装置。

IPC (2件)：

G01N 23/225 ,  G01N 23/227

FI (2件)：

G01N 23/225 ,  G01N 23/227

Fターム (23件)：

2G001AA05 ,  2G001AA09 ,  2G001BA06 ,  2G001BA09 ,  2G001BA30 ,  2G001CA03 ,  2G001CA05 ,  2G001CA10 ,  2G001EA04 ,  2G001EA05 ,  2G001FA21 ,  2G001GA06 ,  2G001GA08 ,  2G001GA09 ,  2G001GA10 ,  2G001HA13 ,  2G001JA03 ,  2G001JA05 ,  2G001JA11 ,  2G001JA20 ,  2G001KA01 ,  2G001KA13 ,  2G001SA01