特許

J-GLOBAL ID：200903090664482201

強誘電メモリセル内の非晶質バリア層

発明者： サンジーブ アガーワル ,  ラマムーシィー ラメシュ
出願人/特許権者： テルコーディア テクノロジーズ インコーポレイテッド ,  ユニバーシティー オブ メリーランド
代理人 (1件)： 谷 義一 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-603056
公開番号（公開出願番号）：特表2002-538617
出願日： 2000年03月01日
公開日（公表日）： 2002年11月12日
要約：

【要約】強誘電セル(70)、特にシリコン基板(22)上のものは、強誘電スタックとシリコンの間に介在する非晶質バリア層(72)を有する。強誘電スタックは、好ましくは強誘電層をはさむ伝導性金属酸化物電極を含む。金属酸化物は、強誘電層を結晶学的に配向させるテンプレート層として働いてもよい。別法として、電極と強誘電層は、多結晶であってもよい。非晶質バリア層(72)は、Ti3Alのような金属間化合物合金、Pb-Siのような金属メタロイド、Ti-Niのような早周期および後周期遷移金属の結合および非晶質金属を形成する、(Ti、Zr)-Beのような他の関連する化合物金属から構成されてもよい。

請求項（抜粋）：

シリコン表面部を含む基板と、 前記シリコン表面部上に堆積された電気伝導性非晶質バリア層と、 前記バリア層上に形成された下部伝導金属酸化物層と、 前記金属酸化物層上に形成された強誘電層と、を有することを特徴とする、シリコンで集積化された強誘電素子。

IPC (2件)：

H01L 27/105 ,  H01G 7/06

FI (2件)：

H01G 7/06 ,  H01L 27/10 444 B

Fターム (15件)：

5F083FR02 ,  5F083GA27 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR22

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 高誘電定数材料と接着層を用いた半導体構造とこれを形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-143171   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド