特許

J-GLOBAL ID：200903090668593628

基板バイアス発生回路

発明者： 石村 民弘 ,  山田 仁 ,  佐久間 信三
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 柿本 恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-324810
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160716
出願日： 1991年12月09日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】 不必要なポンピング動作を防止して消費電力を低減し、基板バイアスレベル検出時の電源ノイズによる悪影響を防止し、さらに基板バイアス電圧の微調整が行える基板バイアス発生回路を提供する。【構成】 発振回路100からパルス信号S100が出力されると、チャージポンプ回路300が基板バイアス電圧Vbbを基板1へ供給する。基板1のVbbレベルが上昇すると、それを基板バイアスレベル検出回路200が検出し、制御信号S200を出力して回路300を動作させる。回路200の基板バイアス端子230と回路300の基板バイアス端子305とを分離し、かつ基板抵抗Rを介して相互に接続する。これにより、基板1のVbbレベルが安定した後に回路200からS200が出力され、無用なポンピング動作を防止する。

請求項（抜粋）：

所定周波数で発振してパルス信号を出力する発振回路と、前記パルス信号により充放電を行って生成した基板バイアス電圧を第1の基板バイアス端子を介して基板に供給するチャージポンプ回路と、第2の基板バイアス端子を介して前記基板のバイアスレベルを検出し、それに応じた制御信号を出力して前記チャージポンプ回路の動作をオン,オフ制御する基板バイアスレベル検出回路とを、備えた基板バイアス発生回路において、前記第1と第2の基板バイアス端子をパターンレイアウト上分離して配置し、かつ該第1と第2の基板バイアス端子を電気的に前記基板のみを介して接続したことを特徴とする基板バイアス発生回路。

IPC (4件)：

H03K 19/094 ,  G11C 11/413 ,  G11C 11/407 ,  H01L 27/04

FI (3件)：

H03K 19/094 D ,  G11C 11/34 335 C ,  G11C 11/34 354 F