低酸素チタン材の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-344212
公開番号（公開出願番号）：特開2003-147454
出願日： 2001年11月09日
公開日（公表日）： 2003年05月21日
要約：

【要約】【課題】半導体用ターゲットに用いられる低酸素チタン材をクロール法で製造することができる。【解決手段】真空分離後のスポンジチタンを反応容器内で冷却し、次いで反応容器内のスポンジチタン表面に窒化膜を形成させた後、スポンジチタンを反応容器から取り出して切断または破砕する低酸素チタン材の製造方法である。この窒化膜の形成を窒素分圧/酸素分圧の比が20以上である低酸素含有窒素ガスを反応容器内に導入して行い、さらに、反応容器内でスポンジチタン中心部の温度が200°C以下になった後、窒素ガスを導入するのが望ましい。

請求項（抜粋）：

クロール法によって得られたスポンジチタンから低酸素チタン材を製造する方法であって、真空分離後のスポンジチタンを反応容器内で冷却し、次いで反応容器内のスポンジチタン表面に窒化膜を形成させた後、スポンジチタンを反応容器から取り出して切断または/および破砕することを特徴とする低酸素チタン材の製造方法。

IPC (2件)：

C22B 34/12 103 , C22B 9/04

FI (2件)：

C22B 34/12 103 , C22B 9/04

Fターム (3件)：

4K001AA27 , 4K001DA11 , 4K001EA02

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