特許

J-GLOBAL ID：200903090673264861

カーボンナノチューブ膜の製造方法

発明者： 谷 由加里 ,  柴田 典義 ,  楠 美智子
出願人/特許権者： 財団法人ファインセラミックスセンター
代理人 (1件)： 小島 清路
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-282214
公開番号（公開出願番号）：特開2000-109308
出願日： 1998年10月05日
公開日（公表日）： 2000年04月18日
要約：

【要約】【課題】 自立しており、かつ大面積のカーボンナノチューブ膜および多様な表面形状を有するカーボンナノチューブ膜を安価に製造可能な、カーボンナノチューブ膜の製造方法を提供する。【解決手段】 シリコンウェハ3上に、炭化ケイ素結晶をエピタキシャル成長させることにより炭化ケイ素単結晶薄膜4を形成させ、次いで、上記炭化ケイ素単結晶薄膜4が形成された上記シリコンウェハ3を腐食液に浸すエッチング処理により上記炭化ケイ素単結晶薄膜4を上記シリコンウェハ3から分離し、さらに、微量酸素を含む真空中あるいは酸素を含む不活性ガス中において上記炭化ケイ素単結晶薄膜4を高温に加熱する高温加熱処理により、上記炭化ケイ素単結晶薄膜4をカーボンナノチューブ膜2に変換する。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶基板上に、炭化ケイ素結晶をエピタキシャル成長させることにより炭化ケイ素単結晶薄膜を形成させ、次いで、上記炭化ケイ素単結晶薄膜が形成された上記シリコン単結晶基板を腐食液に浸すエッチング処理により上記炭化ケイ素単結晶薄膜を上記シリコン単結晶基板から分離し、さらに、微量酸素を含む真空中あるいは酸素を含む不活性ガス中において上記炭化ケイ素単結晶薄膜を高温に加熱する高温加熱処理により、上記炭化ケイ素単結晶薄膜からカーボンナノチューブ膜を形成させることを特徴とするカーボンナノチューブ膜の製造方法。

IPC (6件)：

C01B 31/02 101 ,  B01D 71/02 500 ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/36 ,  C30B 29/66 ,  C30B 33/02

FI (6件)：

C01B 31/02 101 F ,  B01D 71/02 500 ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/36 A ,  C30B 29/66 ,  C30B 33/02

Fターム (18件)：

4D006GA41 ,  4D006MA03 ,  4D006MA31 ,  4D006MA40 ,  4D006MC05X ,  4D006NA39 ,  4D006NA50 ,  4D006PC01 ,  4G046CA00 ,  4G046CB03 ,  4G046CC02 ,  4G077AA03 ,  4G077BA02 ,  4G077BA04 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077EE01 ,  4G077TK01