特許

J-GLOBAL ID：200903090686270828

低周波ノイズ除去方法及びCMOSセンサ回路

発明者： 渡辺 高元 ,  生田 敏雄 ,  遠藤 昇
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-274392
公開番号（公開出願番号）：特開2000-283790
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】 内部ノイズが大きな素子を利用した回路構成とする場合でも低周波ノイズの除去を効果的に行い得るようにすること、CMOSセンサ回路において内部ノイズに起因した低周波ノイズによる悪影響を除去して検出精度の向上を実現すること。【解決手段】 検出対象信号sigより大きな値の意図的オフセット値を予め設定し、その意図的オフセット値の大きさを測定手段により測定した意図的オフセット測定値aと、検出対象信号sigに意図的オフセット値を加算した状態の信号の大きさを測定手段により測定した信号測定値bとの比(b/a)を取り、その比をノイズ低減データとして利用することによってセンサ出力のノイズを低減させる。

請求項（抜粋）：

検出対象信号の信号量をAD変換するAD変換手段を備えたセンサ回路における低周波ノイズの除去方法として、前記検出対象信号より大きな値の意図的オフセット値を予め設定し、上記意図的オフセット値の大きさを前記AD変換手段によりAD変換した意図的オフセットデータと、前記検出対象信号に前記意図的オフセット値を加算した状態の信号の大きさを前記AD変換手段によりAD変換した信号測定データとの比を取り、その比の有効桁の情報をノイズ低減された補正済み信号データとして用いることによってセンサ出力の低周波ノイズを低減させることを特徴とする低周波ノイズ除去方法。

IPC (2件)：

G01D 3/028 ,  G01L 9/00

FI (3件)：

G01D 3/04 F ,  G01L 9/00 E ,  G01D 3/04 Q

Fターム (3件)：

2F075AA05 ,  2F075EE16 ,  2F075EE17