特許

J-GLOBAL ID：200903090690052509

半導体装置

発明者： 岩本 隆
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-338162
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163981
出願日： 1992年11月25日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】 絶縁膜形成をスパタリング法を用いて行なうことなく、さらに絶縁膜の窓あけをフォトエッチング法を用いて行なうことなく、ろう材によりDH接合部が電気的に短絡するのを防止することにより、放熱効率の良い、生産性の高い、発光半導体装置を提供する【構成】 n型クラッド層2とp型クラッド層3と、これらのクラッド層2、3間に配置したp型活性層1と、p型クラッド層3に取り付けた下部電極5と、リ-ドフレ-ム7と、この下部電極5とこのリ-ドフレ-ム7とを接合するろう材6とから構成された発光ダイオ-ド装置において、少なくとも前記n型クラッド層2の側面の表面に、p型拡散層8を形成した。

請求項（抜粋）：

第一のクラッド層と、この第一のクラッド層とは異なる伝導型を有する第2のクラッド層と、これらのクラッド層間に配置した活性層と、第2のクラッド層に取り付けた電極と、リ-ドフレ-ムと、この電極とこのリ-ドフレ-ムとを接合するろう材とから構成された半導体装置において、少なくとも前記第1のクラッド層の側面の表面に、前記第2のクラッド層と同じ伝導型の拡散層を形成したことを特徴とする半導体装置。