特許

J-GLOBAL ID：200903090690099211

配線パターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器

発明者： 松井 邦容
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-097545
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299341
出願日： 2001年03月29日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】実装を行うための接続用電極と端子間の配線を形成する工程で、半導体チップ上に接続用電極を再配置配線するためのパターン形成を容易に行い、かつ低コストの接続用配線を、微細な配線パターンにもつきまわりよく形成する。【解決手段】?@基板上に配線パターンの形成領域を避けた領域にフォトレジストを形成する工程。?A前記レジスト及び配線パターンの形成領域に触媒を形成する工程。?Bレジストを剥離する工程。?C配線パターンに無電解メッキを行う工程。において、配線パターンの形成に用いる無電解メッキとして、ニッケルを用い、無電解ニッケルメッキ浴に含まれる安定剤の量をメッキ液量に対し、1ml/L以下とする。

請求項（抜粋）：

触媒を配線パターンの形成領域で露出させて設ける第1工程と、前記触媒の露出領域に導電材料を析出させる無電解ニッケルメッキを行い、前記導電材料で前記配線パターンを形成する第2工程を含む配線パターンの形成方法において、該無電解ニッケルメッキに使用する無電解ニッケルメッキ薬液中の添加剤のうち、安定剤の量をメッキ液量に対し1ml/L 以下に調整して使用することを特徴とする、配線パターンの形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/3205 ,  C23C 18/32 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/12 501 ,  H05K 3/18

FI (6件)：

C23C 18/32 ,  H01L 21/288 N ,  H01L 23/12 501 P ,  H05K 3/18 F ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 602 J

Fターム (28件)：

4K022AA25 ,  4K022AA41 ,  4K022AA42 ,  4K022BA14 ,  4K022BA35 ,  4K022CA06 ,  4K022DA01 ,  4M104BB05 ,  4M104DD53 ,  5E343AA02 ,  5E343AA11 ,  5E343BB44 ,  5E343BB61 ,  5E343BB71 ,  5E343CC78 ,  5E343DD34 ,  5E343ER05 ,  5E343GG08 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH13 ,  5F033PP28 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR22 ,  5F033VV07 ,  5F033XX03 ,  5F033XX33