特許

J-GLOBAL ID：200903090693062319

薄膜製造装置および薄膜製造方法

発明者： 名田 直司 ,  吉岡 達男 ,  松村 英樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社 ,  松下電器産業株式会社 ,  北陸先端科学技術大学院大学長
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-253245
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075868
出願日： 2000年08月24日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 毒性の強いガスを用いず、欠陥の極めて少ない高純度な膜を形成する。【解決手段】 加熱した触媒体を用いて基板51上に薄膜を形成する薄膜製造装置1であって、成膜が行われる処理室11と、基板51を載置するもので処理室11内に設けた基板ホルダ12と、形成しようとする薄膜の主成分となる材料で構成されかつ基板51側を開放した中空部16Aを有するもので基板ホルダ12に載置される基板51に対向する処理室11内に設けたターゲット16と、ターゲット16の中空部16A内に設けた触媒体19と、その中空部16A内にガスを供給するガス供給部21とを備えたものである。

請求項（抜粋）：

加熱した触媒体を用いて基板上に薄膜を形成する薄膜製造装置であって、成膜が行われる処理室と、成膜される基板が載置されるもので前記処理室内に備えた基板ホルダと、形成しようとする薄膜の主成分となる材料で構成されかつ前記基板側が開放された中空部を有するもので前記基板ホルダに載置される基板に対向する前記処理室内に設けたターゲットと、前記ターゲットの中空部内に設けた触媒体と、前記ターゲットの中空部内にガスを供給するガス供給部とを備えたことを特徴とする薄膜製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/203 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 21/203 S ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/44 A ,  H01L 21/205

Fターム (40件)：

4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB03 ,  4K030CA06 ,  4K030FA17 ,  4K030KA49 ,  5F045AB03 ,  5F045AB05 ,  5F045AB06 ,  5F045AB07 ,  5F045AB10 ,  5F045AD07 ,  5F045AF07 ,  5F045BB16 ,  5F045EC03 ,  5F045EE06 ,  5F045EE07 ,  5F045EH08 ,  5F045EJ05 ,  5F045EJ09 ,  5F045EK07 ,  5F045GB05 ,  5F103AA08 ,  5F103BB06 ,  5F103BB13 ,  5F103BB16 ,  5F103BB22 ,  5F103BB23 ,  5F103BB27 ,  5F103BB32 ,  5F103BB52 ,  5F103BB57 ,  5F103DD03 ,  5F103DD16 ,  5F103DD17 ,  5F103DD30 ,  5F103GG02 ,  5F103HH03 ,  5F103NN01 ,  5F103PP15