特許
J-GLOBAL ID：200903090695369101
メモリデバイス読出し装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-125717
公開番号（公開出願番号）：特開2004-014096
出願日： 2003年04月30日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：
【課題】より高速でメモリデバイスを読出す読出し装置を提供する。【解決手段】本メモリデバイス読出し装置は、2つの基準電圧を使用してメモリデバイスのメモリセルに記憶されているデータを読出す。前記読出し装置は、第1、第2、および第3の比較器を備える。第1の比較器は、低い基準電圧と、前記メモリセルのセル電圧とを受信し、これに応じて第1の値を出力する。第2の比較器は、高い基準電圧と、前記メモリセルのセル電圧とを受信し、これに応じて第2の値を出力する。第3の比較器は、前記第1および第2の値を受信し、これに応じてメモリセルに記憶されているデータを出力する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
メモリデバイスのメモリセルに記憶されているデータを読出すメモリデバイス読出し装置であって、前記メモリセルは前記メモリセルに記憶されている前記データに基づいてセル電流を出力し、前記読出し装置が、
高い閾電圧を有する、低い基準電流を供給する第1の基準セルと、
低い閾電圧を有する、高い基準電流を供給する第2の基準セルと、
前記高い基準電流を受信し、第1の基準電圧を出力する第1の負荷と、
前記低い基準電流を受信し、第2の基準電圧を出力する第2の負荷と、
前記セル電流を受信し、セル電圧を出力する第3の負荷と、
前記第1の基準電圧および前記セル電圧を受信し、これに基づいて第1の値を出力する第1の比較器と、
前記第2の基準電圧および前記セル電圧を受信し、これに基づいて第2の値を出力する第2の比較器と、
前記第1および第2の値を受信し、これに基づいて前記メモリセルに記憶されている前記データを出力する第3の比較器と、
を含むことを特徴とする読出し装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C17/00 634E
, G11C17/00 624
5B025AD05
, 5B025AD06
, 5B025AD07
, 5B025AE05
