特許

J-GLOBAL ID：200903090706769239

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 上田 徹
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-266635
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122757
出願日： 1993年10月25日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】 チャネル領域の多結晶シリコン膜を、酸素に起因した欠陥が少なく十分に優れた結晶性を有するものとする。【構成】 非単結晶シリコン膜12を形成後、この非単結晶シリコン膜12の表面が露出した状態で、不活性ガスまたは酸化性ガス中で熱処理した多結晶シリコン膜13中には、酸素に起因した欠陥が多数存在するが、水素ガスと不活性ガスとの混合気体または水素ガス中で熱処理をするので、熱的なアニーリング効果によって結晶中の欠陥を回復させると同時に、水素がシリコン膜表面の自然酸化膜を還元して膜表面の酸素濃度を下げ、膜中の酸素の濃度勾配を大きくし、シリコン膜中の酸素を効率よく雰囲気中へ外方拡散させ、酸素濃度の小さい多結晶シリコン膜13cとなる。この多結晶シリコン膜13cは酸素に起因した欠陥が少なく、優れた結晶性を有している。

請求項（抜粋）：

チャネル領域に多結晶シリコン膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法であって、非単結晶シリコン膜を形成後、該非単結晶シリコン膜表面が露出した状態で、水素ガスと不活性ガスとの混合気体または水素ガス中で熱処理をすることにより、該多結晶シリコン膜を形成する工程、または、非単結晶シリコン膜を形成後、該非単結晶シリコン膜表面が露出した状態で、不活性ガスまたは酸化性ガス中で熱処理をすることにより該多結晶シリコン膜を形成し、該多結晶シリコン膜表面が露出した状態で、水素ガスと不活性ガスとの混合気体または水素ガス中で熱処理をする工程を有する薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-286336
  
• 特開昭64-025517
  
• 特開昭63-037613