特許
J-GLOBAL ID:200903090710023934
電子デバイスの製造方法及び化学的機械研磨装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (11件):
前田 弘
, 小山 廣毅
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 藤田 篤史
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 後藤 高志
, 井関 勝守
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-065245
公開番号(公開出願番号):特開2004-273929
出願日: 2003年03月11日
公開日(公表日): 2004年09月30日
要約:
【課題】ダマシン法により配線を形成する際に、CMP工程における導電膜の腐食を防止できるようにする。【解決手段】基板11表面に成膜した導電膜を研磨パッド13により研磨するときに、電源19の陽極20又は陰極21を用いて導電膜に負電位を印加する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板上の絶縁膜に凹部を形成する第1の工程と、
前記絶縁膜の上に前記凹部が埋まるように導電膜を形成する第2の工程と、
前記凹部の外側の前記導電膜を化学的機械研磨法により除去する第3の工程とを備え、
前記第3の工程は、電極を用いて前記導電膜に負電位を印加する工程を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
IPC (4件):
H01L21/304
, B24B37/00
, B24B37/04
, H01L21/306
FI (4件):
H01L21/304 621D
, B24B37/00 Z
, B24B37/04 K
, H01L21/306 M
Fターム (12件):
3C058AA07
, 3C058AA09
, 3C058AC02
, 3C058BA09
, 3C058BB02
, 3C058BC02
, 3C058CA01
, 3C058DA12
, 5F043AA26
, 5F043DD16
, 5F043FF07
, 5F043GG03
前のページに戻る