特許
J-GLOBAL ID：200903090710661426
不揮発性半導体メモリ及びその消去、書込み方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-148097
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326980
出願日： 1992年05月14日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】2層ゲ-ト構造のメモリセルアレイを有する不揮発性メモリにおいて、任意のメモリセルを選択して消去する。【構成】任意のメモリセルの消去に際して電子をドレイン6に引抜き、さらに、消したいメモリセルのコントロ-ルゲ-ト3にも電位を印加する事で任意の1つのセルを消す。例えば、コントロ-ルゲ-ト3にシリコン半導体基板1より低い負の電位を加え、消去したいセルのドレイン接続されているビット線BLに正の電位を加える。この消去方法を利用してブロックで書き込むこともできる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板に形成されたソ-ス領域と、前記半導体基板に形成されたドレイン領域と、前記半導体基板のソ-ス/ドレイン領域の間の領域上に形成された第1のゲ-ト絶縁膜と、前記第1のゲ-ト絶縁膜の上に形成されたフロ-ティングゲ-トと、前記フロ-ティングゲ-トの上に形成された第2のゲ-ト絶縁膜と、前記第2のゲ-ト絶縁膜の上に形成されたコントロ-ルゲ-トと、前記コントロ-ルゲ-トに負電圧を印加し、ドレイン領域に正の電圧を印加することによって、フロ-ティングゲ-トに蓄えられた電子を放出する消去手段とを備えたメモリセルを有することを特徴とする不揮発性半導体メモリ。
IPC (6件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, G11C 16/02
, G11C 16/04
, G11C 16/06
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, G11C 17/00 307 D
, G11C 17/00 309 C
, H01L 27/10 434
