特許
J-GLOBAL ID：200903090711135558
薄膜形成装置及び薄膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森田 寛 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-306328
公開番号（公開出願番号）：特開平10-137666
出願日： 1996年11月18日
公開日（公表日）： 1998年05月26日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、基板が大型化したものとなっても薄膜の厚さを均一に出来るようにすることを目的としている。【解決手段】 薄膜形成に当たって、基板に塗布した塗布剤に超電導磁石による磁界を印加させてモーゼ効果を利用し、基板と超電導磁石とを相対移動させるようにする。
請求項（抜粋）：
被処理用の基板表面に塗布した塗布剤の薄膜を、該基板の表面に形成するようにした薄膜形成装置に於いて、前記基板の表面に塗布した塗布剤の上側に超電導線材のコイルよりなる超電導磁石を配置し、この超電導磁石より発生する磁界を前記基板表面の塗布剤に印加するよう構成すると共に、該超電導磁石の下側にある前記基板を平行移動させるか、又は、該基板の上側にある前記超電導磁石を平行移動するよう構成してなり、該基板表面に塗布剤の薄膜を形成するようにしたことを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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