半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-290318
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142614
出願日： 1993年11月19日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【構成】素子領域に設ける窒化酸化膜からなるトンネル膜17とメモリナイトライド膜19と窒化酸化膜からなるトップ絶縁膜21からなるメモリゲート絶縁膜23と、メモリゲート絶縁膜23上に設けるゲート電極25と、ゲート電極の整合した領域に設ける高濃度領域29を備える半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法。【効果】窒化酸化シリコン膜からなるトンネル膜と窒化酸化シリコン膜からなるトップ絶縁膜を用いることにより、情報消去時のメモリゲート絶縁膜の電界を高めることが可能となる。その結果、情報消去時間の短縮ができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に窒化酸化シリコン膜からなるトンネル膜と、窒化シリコン膜からなるメモリナイトライド膜と、窒化酸化シリコン膜からなるトップ絶縁膜とからなるメモリゲート絶縁膜を有することを特徴とする半導体不揮発性記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭61-172339
特開昭61-172339

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