特許
J-GLOBAL ID：200903090724384417

縦型有機トランジスタ

発明者：
家地 洋之

家地 洋之 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 瀧野 秀雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-125877
公開番号（公開出願番号）：特開2004-335557
出願日： 2003年04月30日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：
【課題】電流密度及び動作速度を向上させると共に、再現性良く大量に生産できるようにした縦型有機トランジスタを低コストで提供する。【解決手段】基板1の上に、第一の電極2、第一の有機半導体層4、櫛状又はメッシュ状の第二の電極5、第二の有機半導体層6、及び、第三の電極7を順次有する縦型有機トランジスタ10において、前記第一の電極2と前記第一の有機半導体層4との間に電荷注入層及び/又は電荷輸送層3を有するものとする。前記電荷注入層は、例えば、m-MTDATA,CuPc,PEDOT ,PSS 等の電荷を注入する性質を有する有機半導体材料で構成され、そして、前記電荷輸送層は、例えば、α-NPD,TPD ,Spiro-TAD 等の電荷を輸送する性質を有する有機半導体材料で構成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、第一の電極、第一の有機半導体層、櫛状又はメッシュ状の第二の電極、第二の有機半導体層、及び、第三の電極を順次有する縦型有機トランジスタにおいて、前記第一の電極と前記第一の有機半導体層との間に電荷注入層及び/又は電荷輸送層を有することを特徴とする縦型有機トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L29/80 ,  H01L21/28 ,  H05B33/14
FI (3件)：
H01L29/80 V ,  H01L21/28 301B ,  H05B33/14 A
Fターム (38件)：
3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC00 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD51 ,  4M104DD53 ,  4M104GG20 ,  5F102FA00 ,  5F102FB01 ,  5F102GB02 ,  5F102GC08 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK00 ,  5F102GL00 ,  5F102GR06 ,  5F102GS09 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102HC11
引用特許：
審査官引用 (4件)
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