特許
J-GLOBAL ID：200903090728864952
半導体発光素子およびその製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-125166
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321902
出願日： 1997年05月15日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 上部電極のパターニングのエッチングの際にも上部電極の下部のコンタクト層が細らないようにし、上部電極が安定して半導体層と接続される構造の半導体発光素子およびそれを得るための製法を提供する。【解決手段】 基板1と、該基板上に発光層を形成すべく半導体層が積層される半導体積層部12と、該半導体積層部の表面側に設けられ電極金属とのオーミックコンタクトを良好にするためのコンタクト層8と、該コンタクト層を介して前記半導体積層部の表面側の半導体層に電気的に接続して設けられる上部電極9とを有する半導体発光素子であって、前記上部電極が前記コンタクト層を覆うように設けられている。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に発光層を形成すべく半導体層が積層される半導体積層部と、該半導体積層部の表面側に設けられ電極金属とのオーミックコンタクトを良好にするためのコンタクト層と、該コンタクト層を介して前記半導体積層部の表面側の半導体層に電気的に接続して設けられる上部電極とを有する半導体発光素子であって、前記上部電極が前記コンタクト層を覆うように設けられてなる半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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