特許
J-GLOBAL ID：200903090729285212
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-071346
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275704
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】 半導体の過電圧と過電流を数V(ボルト)の電圧で正確に検出でき、その電圧で確実に簡単に半導体を保護できる半導体装置を提供すること。【構成】 電流検出用のエミッターと電圧検出用のエミッターと通常のエミッターの3つのエミッターを設けた絶縁ゲートバイポーラトランジスターを形成し、その電流検出用のエミッターに過電流遮断回路を接続し、電圧検出用のエミッターに高抵抗の抵抗を接続し、電流検出用のエミッターと過電流過電圧の検出端子Tivを接続する。
請求項（抜粋）：
電流検出用のエミッターEiと電圧検出用のエミッターEvと通常のエミッターEの3つのエミッターを設けた絶縁ゲートバイポーラトランジスター。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 321 K
, H01L 29/78 321 J
