特許
J-GLOBAL ID：200903090732186896
面発光型半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
牛久 健司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-162525
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326507
出願日： 1996年06月04日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：
【要約】【目的】 光強度がほぼ均一でかつ高い発光出力を実現する面発光型半導体発光素子とその製造方法を提供する。【構成】 n-GaAs基板1上に,n-(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>z</SB>In<SB>1-z</SB>P下部クラッド層2,p-(Al<SB>y</SB>Ga<SB>1<HAN>ー</HAN>y</SB>)<SB>z</SB>In<SB>1-z</SB>P発光層3,p-(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>z</SB>In<SB>1-z</SB>P上部クラッド層4およびp-GaAsキャップ層5(0≦y<x≦1,0≦z≦1 )を順次エピタキシャル成長させる。その後,p型の導電型をもつ不純物を光取り出し窓10の下方に位置する上部クラッド層4の部分にドープする。半導体層をキャップ層5まで成長させた後に,上部クラッド層4に不純物をドープすることによって,高い濃度の不純物をドープすることができる。電流は上部クラッド層4で充分に拡散され,これによって光取り出し領域から外部に出射される光の強度がほぼ均一になる。また不純物濃度が高いので電流密度も高まり高出力の光が出射される。
請求項（抜粋）：
結晶成長により少なくとも発光層および上部クラッド層を含む半導体層を形成し,その後,上記上部クラッド層に,上記上部クラッド層の導電型と同じ導電型の不純物をドープし,少なくとも発光素子の上面に電極を形成する,面発光型半導体発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 B
, H01L 31/12 E
