特許
J-GLOBAL ID：200903090745391235
磁気デイスク及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 数彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-129664
公開番号（公開出願番号）：特開平7-320251
出願日： 1994年05月19日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】電気的絶縁性基板を使用した新規な層構成を有する磁気デイスク及びバイアススパッタリング法による改良された磁気デイスクの製造方法を提供する。【構成】電気的絶縁性基板の一方の面に導電性被覆膜、下地層、磁性層、保護層を順次に形成し、他方の面に下地層、磁性層、保護層を順次に形成して成る磁気デイスク、および、両面外縁部のみに導電性被覆膜を形成した電気的絶縁性基板の両面に、下地層、磁性層、保護層を順次に形成して成る磁気デイスク。電気的絶縁性基板の一方の面または両面外縁部のみに導電性被覆膜を形成した後、スパッタリング法により、少なくとも磁性層を形成する際、導電性被覆膜の部分にプラズマ電位に対して相対的に低いバイアス電圧を印加する磁気デイスクの製造方法。
請求項（抜粋）：
電気的絶縁性基板の一方の面に導電性被覆膜、下地層、磁性層、保護層を順次に形成し、他方の面に下地層、磁性層、保護層を順次に形成して成ることを特徴とする磁気デイスク。
IPC (2件)：
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