特許

J-GLOBAL ID：200903090748802155

発光半導体デバイス用高反射性接点及びその製造方法

発明者： ローランド・エイチ・ハイツ ,  フレッド・エー・キッシュ.ジュニア
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 上野 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-340910
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186365
出願日： 1996年12月20日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】LEDの両端に電圧を印加する接点で、LEDで発生された大量の光が吸収される。その接点を反射性にし、光の内部反射を増加させる反射性接点が知られている。これらの反射性接点を作るためには、接触ホールを使う誘電ミラー法及びシャドウマスク蒸着法がよく知られている。何れの方法でも、接点は典型的にはLED背面の25%に及び、結果として等価的に70-75%が反射性とされる面積となる。これは2回反射すると、光子の50%が吸収されてしまう。【解決手段】高反射性の接点が、レーザを使ってLEDチップの上面と底面上に蒸着した高反射性金属に小さい合金化ドットを生成して形成される。この技術を使えば、適切な低抵抗オーミック接点を有し、かつ底面のほとんどが高反射性となり、典型的には底面の99%が反射表面として作用する。あるいは化合物半導体のウェーハボンディング技術を適用して、複数の小さい微小合金化接点を製造出来る。

請求項（抜粋）：

上面と底面とを有する発光半導体デバイスの反射性接点において、該反射性接点が、前記発光半導体デバイスの少なくとも1つの上面と底面の予定部分を覆う反射性金属層と、前記反射性金属層と前記発光半導体デバイスの少なくとも1つの前記上面と前記底面とから形成される複数の合金化金属-半導体ゾーンとを含み、該合金化金属-半導体ゾーンが、前記反射性金属層及び結合された前記合金化金属-半導体ゾーンの全面積の10%を越えない面積までを包含し、かつ前記発光半導体デバイスの少なくとも1つの前記上面と前記底面とでオーミック低抵抗接点を形成することを特徴とする反射性接点。