特許

J-GLOBAL ID：200903090756209986

半導体装置およびその製造方法

発明者： 沖之島 弘茂 ,  豊田 聡志
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 岩見谷 周志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-307910
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126855
出願日： 1997年10月22日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：

【要約】【課題】 半導体チップと封止樹脂層とが強固に接着された高信頼性の半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体チップ と、この半導体チップの主面に被覆されたポリイミド樹脂層と、このポリイミド樹脂層上に被覆されたポリイミドシロキサン樹脂層と、このように被覆された半導体チップ全体を被覆する封止樹脂層とからなる半導体装置。

請求項（抜粋）：

半導体チップと、この半導体チップの主面に被覆されたポリイミド樹脂層と、このポリイミド樹脂層上に被覆されたポリイミドシロキサン樹脂層と、このようにして被覆された半導体チップ全体を被覆する封止樹脂層とを具備してなる半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C09D179/08 ,  H01L 21/56 ,  C08G 73/10

FI (4件)：

H01L 23/30 R ,  C09D179/08 Z ,  H01L 21/56 R ,  C08G 73/10