特許
J-GLOBAL ID:200903090758426909

空間光変調素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 池内 寛幸 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-344518
公開番号(公開出願番号):特開平5-173170
出願日: 1991年12月26日
公開日(公表日): 1993年07月13日
要約:
【要約】【目的】 少なくとも光導電層、反射層、強誘電性液晶層及び強誘電性液晶を配向させる配向膜を備えた空間光変調素子であって、配向膜が画素単位に分割されていることにより、液晶のより高密度な配位が可能となり、高解像度の画像表示が可能な空間光変調素子を提供する。【構成】 透明絶縁性基板11の上に透明導電性電極12が形成され、その上に光導電層13が積層され、更にその上に金属薄膜又は多層誘電体薄膜等の反射層14と、液晶を配向させるポリイミド等の高分子薄膜又はSiO2 斜方蒸着膜等の配向膜15が、同一平面状に微小な形状で画素単位に分割されて形成される。
請求項(抜粋):
少なくとも光導電層、反射層、強誘電性液晶層及び前記強誘電性液晶を配向させる配向膜を備えた空間光変調素子であって、前記配向膜が画素単位に分割されていることを特徴とする空間光変調素子。

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