半導体記憶装置およびその記憶情報読出方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲岡耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-279829
公開番号（公開出願番号）：特開平6-090004
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：

【要約】【構成】ゲート20およびドレイン領域14に正の高電圧を印加するとともに、ソース領域13を接地すると、ドレイン領域14の境界部でホットエレクトロンが発生する(図1(a) )。このホットエレクトロンは、絶縁膜19に局所的に注入されて捕獲される。これにより、情報の書込が達成される。情報の読出時には、ドレイン領域14を接地するとともに、ソース領域13に正の読出電圧を与え、ゲート20には所定のセンス電圧を印加する(図1(b) )。このとき、絶縁膜19にエレクトロンが蓄積されていればソース・ドレイン間は遮断状態に保たれ、エレクトロンが蓄積されていなければソース・ドレイン間が導通する。【効果】読出時にドレイン領域14の近傍でのチャネル25の形成が遅れるため閾値電圧を高くできるので、情報の読出を正確に行える。読出時にドレイン領域14の境界部でホットエレクトロンが発生しないので、ソフトライトを防止できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板にチャネル領域を挟んで形成したソース領域およびドレイン領域と、上記チャネル領域の表面に形成された絶縁膜と、この絶縁膜上に設けられたゲートとを有するトランジスタをメモリセルに用い、上記ソース領域、ドレイン領域およびゲートに各所定の電圧を印加して、上記ドレイン領域とチャネル領域との境界で生じたホットエレクトロンまたはホットホールを上記絶縁膜中のドレイン領域の近傍の領域に局所的に注入させて捕獲させることにより情報の書込を行うようにした半導体記憶装置において、情報の読出時に、ソース領域とドレイン領域との間に印加する電圧の極性を書込時とは反転するとともに、ゲートに所定のセンス電圧を印加する手段と、上記読出時に、上記トランジスタが導通するか否かを監視する手段とを含むことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭54-053929
特開昭53-008084

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