特許

J-GLOBAL ID：200903090772308269

露光装置、露光方法、半導体装置製造方法、および、マスク

発明者： 鏡 一郎 ,  小山 雅章
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-215471
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049077
出願日： 1998年07月30日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】 単位パターンの位置のずれに起因して発生する線路パターンの幅の誤差を減少させる。【解決手段】 マスク上に形成される単位パターン20の透過部20aは、入射された電子線ビームを透過する。遮断部20bは、入射された電子線ビームを遮断する。透過部20aの両端に形成された幅Wの半透過部20cは、入射された電子線ビームを1/2の透過率で透過させる。このような単位パターンを用いて露光を行い、線路パターンを形成する場合には、半透過部20cが相互に重なるように露光を行う。その結果、線路パターンの接続部分は、半透過部20cを透過した通常の強度の1/2の電子線ビームによって2重露光されることから、単位パターンの位置のずれに起因して発生する線路パターンの幅の誤差を減少させることが可能となる。

請求項（抜粋）：

転写しようとするパターンを複数の単位パターンに分割し、得られた単位パターン群から所定の単位パターンを選択して被加工物上に転写する動作を繰り返すことにより被加工物を所望のパターンに露光する露光装置において、前記単位パターン群が形成されたマスクと、前記マスクの所定の単位パターンに対して光を照射する光源部と、前記マスクを透過した光を前記被加工物上の所定の領域に収束させる光学系と、を有し、前記マスクの各単位パターンの周縁部分に形成された透過部の透過率はその他の領域のそれよりも低くなるように設定し、前記単位パターンの前記周縁部分が相互に重なるように露光することを特徴とする露光装置。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521

FI (4件)：

H01L 21/30 541 S ,  G03F 1/08 Z ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 541 M

Fターム (8件)：

2H095BA05 ,  2H095BA09 ,  2H095BB32 ,  2H095BB33 ,  5F056CA04 ,  5F056CB03 ,  5F056CC09 ,  5F056CD16