特許

J-GLOBAL ID：200903090785575894

磁場発生装置

発明者： 大橋 健 ,  井上 勇二 ,  吉留 英二
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社 ,  横河メディカルシステム株式会社
代理人 (1件)： 森崎 俊明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-352022
公開番号（公開出願番号）：特開平6-176916
出願日： 1992年12月09日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】 永久磁石対向型の磁場発生装置に於いて、渦電流の発生を抑制でき、かつ、加工及び製作の容易な整磁板を提供すること。【構成】 厚み方向に磁化された1対の永久磁石を対向させて継鉄内部に設け、上記1対の永久磁石の対向面の夫々に設けた整磁板の間の空間に磁場を発生させる磁場発生装置に於いて、上記整磁板が表面処理され、比透磁率50以上、飽和磁束密度5kG以上、比電気抵抗20μΩ・cm以上、厚さ0.05mm以上の表面改質層を有する磁場発生装置を提供する。また、上記表面改質層は、軟窒化処理による窒化層、あるいは、金属浸透法による合金層とする。

請求項（抜粋）：

厚み方向に磁化された1対の永久磁石を対向させて継鉄内部に設け、上記1対の永久磁石の対向面の夫々に設けた整磁板の間の空間に磁場を発生させる磁場発生装置に於いて、上記整磁板が表面処理され、比透磁率50以上、飽和磁束密度5kG以上、比電気抵抗20μΩ・cm以上、厚さ0.05mm以上の表面改質層を有する、ことを特徴とする磁場発生装置。

IPC (3件)：

H01F 7/02 ,  A61B 5/055 ,  G01R 33/38

FI (2件)：

A61B 5/05 331 ,  G01N 24/06 G