ICパッケージおよびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-275201
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086756
出願日： 2001年09月11日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：

【要約】【課題】チップコンデンサ内蔵ICパッケージにおいて、各部の接続信頼性を確保しつつ、ICチップのハイパワー化を図れるようにする。【解決手段】 ICチップ10が搭載されたヒートシンク20と、チップコンデンサ50が導電性接着剤を介して搭載されたリードフレーム30とをAlよりなるボンディングワイヤ80で接続し、ヒートシンク、ICチップ、ボンディングワイヤおよびリードフレームを包み込むようにモールド樹脂40にて封止してなる。ここで、リードフレーム30の一面全域はNiメッキが施され、ボンディングワイヤ30はこのNiメッキ表面に接続されており、リードフレーム30の一面のうち導電性接着剤が配置された部位はAgメッキが施されており、コンデンサ50はこのAgメッキ表面に導電性接着剤を介して接着されている。

請求項（抜粋）：

ICチップ(10)が搭載されたヒートシンク(20)と、一面に少なくともチップコンデンサ(50)を含む他の部品が導電性接着剤を介して搭載されたリードフレーム(30)と、前記ICチップと前記リードフレームの一面とを接続するAlよりなるボンディングワイヤ(80)と、前記ヒートシンク、前記ICチップ、前記ボンディングワイヤおよび前記リードフレームを包み込むように封止するモールド樹脂(40)とを備え、前記リードフレームの一面全域はNiメッキが施されており、前記ボンディングワイヤはこのNiメッキ表面に接続されており、前記リードフレームの一面のうち前記導電性接着剤が配置された部位は、前記Niメッキの上にAgメッキが施されており、前記他の部品はこのAgメッキ表面に前記導電性接着剤を介して接着されていることを特徴とするICパッケージ。

IPC (3件)：

H01L 25/00 , C23C 30/00 , H01L 23/50

FI (5件)：

H01L 25/00 B , C23C 30/00 D , H01L 23/50 D , H01L 23/50 F , H01L 23/50 X

Fターム (16件)：

4K044AA11 , 4K044AB10 , 4K044BA06 , 4K044BA08 , 4K044BC14 , 4K044CA04 , 4K044CA15 , 4K044CA18 , 5F067AA03 , 5F067BE05 , 5F067CA03 , 5F067CA05 , 5F067CA07 , 5F067CD10 , 5F067DC17 , 5F067DC18

引用特許：

審査官引用 (16件)

半導体装置用リードフレーム及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-311636 出願人：日立電線株式会社
特開昭61-152052
回路装置および実装基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-044442 出願人：三洋電機株式会社

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