特許

J-GLOBAL ID：200903090786591494

平面マグネトロン・スパッタリングの方法と装置

発明者： デニス ライル クラウス ,  ディヴィッド シー.ウォジェウォダ
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-311470
公開番号（公開出願番号）：特開平8-209343
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1996年08月13日
要約：

【要約】【課題】 膜の品質と付着の均一性を向上させ、低圧力、低電圧で動作し、有効なターゲットの冷却を促進しかつ製作が容易な平面マグネトロン・スパッタリング装置を提供する。【解決手段】 開示されるマグネトロン・スパッタリング装置は内部導管を含む冷却ブロックを持つ。ターゲットは第1の面に第1および第2の溝を持つ。ターゲットの第1の面の少なくとも一部分は冷却ブロックの第1の面と接触している。第1の磁極片は第1の溝の中に位置し、第2の磁極片は第2の溝の中に位置する。第1の磁石は第1の磁極片と接触し、第1の極性を持つ。第2の磁石は第2の磁極片と接触し、第1の磁石と反対の極性を持つ。プレートは冷却ブロックの第2の面と、第1および第2ブロックに接触する。冷却液を冷却ブロックの内部導管に供給し、冷却ブロックに電圧を印加する手段が取られる。第1および第2の磁極片は、第1および第2の磁石によって生み出された磁束を反対側のターゲットの第2の面の方向に導く。

請求項（抜粋）：

マグネトロン・スパッタリング装置であって、内部導管を持つ冷却ブロックと、第1の面に第1および第2の溝を持ち、ターゲットの第1の面の少なくとも一部分は冷却ブロックの第1の面に接触している、ターゲットと、第1の溝の中に位置する第1の磁極片と、第2の溝の中に位置する第2の磁極片と、第1の磁極片と接触して第1の極性を持つ第1の磁石と、第2の磁極片と接触して第1の磁石と反対の極性を持つ第2の磁石と、冷却ブロックの第2の面と第1および第2磁石と接触するプレートと、冷却液を冷却ブロックの内部導管に供給する手段と、冷却ブロックに電圧を印加する手段とを含み、第1および第2の磁極片が磁束を反対側のターゲットの第2の面の方向に導き、磁束が第1および第2の磁石によって作り出される、スパッタリング装置。