特許
J-GLOBAL ID：200903090787333251
半導体基板を研磨する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-148757
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022362
出願日： 1994年06月08日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】【目的】 改良研磨パッド62およびこの研磨パッド62を形成し利用する方法。【構成】 一実施例では、改良研磨パッド62は、改良圧力が研磨パッド62の一部を機械的に変形するために十分大きいことを除いて、研磨基板14と同様に形成される。一般に、改良圧力は少なくとも10ポンド/平方インチである。パッドを改良するために用いられる材料は、硬質で、滑らかな表面を有する。これらの材料の例として、金属,誘電体および半導体がある。研磨パッド62を改良した後、半導体基板14を研磨するために利用できる。フレッシュ・パッドと比較して、改良研磨パッド62はプレーナ処理効率が高く、開口部39に隣接するパターニング層33のコーナ丸めを発生する可能性が低い。
請求項（抜粋）：
半導体基板(14)を研磨する方法であって:研磨パッド(62)を有する研磨機(10)に半導体基板(14)を配置する段階であって:前記研磨パッド(62)は、平均隆起径(76)と隆起高の標準偏差とを有する複数の隆起を含み、前記平均隆起径(76)が少なくとも40ミクロン;前記隆起高の標準偏差が30ミクロン以下;または自乗平均表面あらさが30ミクロン以下;という特性を含む研磨パッドを有する研磨機(10)に半導体基板(14)を配置する段階と;前記研磨パッドを利用して半導体基板(14)を研磨する段階と;によって構成されることを特徴とする方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 321
, B24B 1/00
, B24B 37/00
