特許
J-GLOBAL ID：200903090790039445
半導体装置のアッシング方法とこれに使用するアッシング装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-121734
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306816
出願日： 1996年05月16日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】【課題】 アッシングの際のレジスト温度のばらつきを少なくして、半導体装置の加熱しすぎを防止し、アッシングの際の熱による半導体装置の信頼性の低下を防止する。【解決手段】 レジスト41が表面に配設されたウエハ40を支持するウエハ載置台32に対向して赤外線照射管42を設け、この赤外線照射管42によりレジスト41を加熱し、ウエハ40よりもレジスト表面で温度が高くなるようにレジストに印加される熱量を適宜調整する工程を備えた。
請求項（抜粋）：
外部雰囲気からの密閉が可能な反応室内に配設された支持台に、レジストの配設された基板を支持する第1の工程と、反応室にレジストと反応する反応性気体を導入する第2の工程と、支持台に対向して配設された熱放射手段によりレジストを加熱し、このレジストと反応性気体とを反応させる第3の工程と、基板よりもレジスト表面で温度が高くなるようにレジストに印加される熱量を適宜調整する第4の工程と、を備えた半導体装置のアッシング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/42
, H01L 21/3065
H01L 21/30 572 A
, G03F 7/42
, H01L 21/302 H
