特許

J-GLOBAL ID：200903090794796771

半導体装置およびその製造方法

発明者： 鳥居 道治
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (2件)： 板垣 孝夫 ,  森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-421738
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183641
出願日： 2003年12月19日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：

【課題】 電極界面の構造を大きく変更することなく酸化侵食を抑制し、信頼性に優れた小型・薄型半導体装置を提供する。【解決手段】 基板1の表面に2層の入出力パッド2,3が形成され、前記入出力パッド2,3の周縁部から基板表面にわたって覆う表面保護膜7が形成され、前記表面保護膜7の内周部を含む入出力パッド2,3上にバリアメタル4(4a,4b)を介して金属突起電極6が形成された半導体装置において、前記入出力パッド2,3の周縁部を覆う表面保護膜7の内周部にスリット9,10などの凹部を形成する。これによれば、スリット9,10により段差が生じ、この段差に沿って形成されるバリアメタル4の表面形状が荒らされるため、バリアメタル4との界面に水分が進入する場合の経路が長くなり、バリアメタル4の酸化侵食を抑制できるとともに、バリアメタル4と金属突起電極6との接触面積が多くなり、金属突起電極6の剥がれを抑制し、接続品質を安定させることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に入出力パッドが形成され、前記入出力パッドの周縁部から基板表面にわたって覆う表面保護膜が形成され、前記表面保護膜の内周部を含む前記入出力パッド上にバリアメタルを介して金属突起電極が形成された半導体装置において、前記入出力パッドの周縁部を覆う表面保護膜の内周部に凹部が形成された半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/60 ,  H01L21/3205

FI (3件)：

H01L21/92 602K ,  H01L21/88 T ,  H01L21/92 602H

Fターム (23件)：

5F033HH07 ,  5F033HH09 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH23 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033MM20 ,  5F033MM26 ,  5F033PP20 ,  5F033PP27 ,  5F033PP31 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033RR06 ,  5F033SS15 ,  5F033VV07 ,  5F033XX03 ,  5F033XX13 ,  5F033XX20