特許
J-GLOBAL ID：200903090795011352
基体処理装置および堆積膜形成装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-343758
公開番号（公開出願番号）：特開平6-184757
出願日： 1992年12月24日
公開日（公表日）： 1994年07月05日
要約：
【要約】【目的】稼動率と安全性が高く装置内の汚染が防止された基体処理装置を提供し、また、稼動率が高く成膜室内の汚染が防止された堆積膜形成装置を提供する。【構成】?@マイクロ波の進行方向に沿った発散磁界をマイクロ波導入窓101の近傍に形成する。あるいは、?A有磁場プラズマCVD法による堆積膜形成装置において、電子サイクロトロン共鳴点および原料ガスの供給口から成膜空間を取り囲む壁面までの距離をガス分子の平均自由行程の6倍以上とする。
請求項（抜粋）：
大気から内部が隔離された反応室と、前記反応室内にマイクロ波エネルギーを導入するため前記反応室の壁面に設けられたマイクロ波導入窓と、前記反応室内に反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、前記マイクロ波導入窓を介して前記反応室内に導入されるマイクロ波を発生するマイクロ波発生手段とを有し、前記反応室内に保持された基体に対して処理を行なう基体処理装置において、前記マイクロ波の進行方向に沿った発散磁界を前記マイクロ波導入窓の近傍に発生させる磁界発生手段が設けられていることを特徴とする基体処理装置。
IPC (4件)：
C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H05H 1/46
