特許
J-GLOBAL ID：200903090800792678
磁気ヘッド
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阿部 美次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-053066
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326104
出願日： 1997年03月07日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：
【要約】【課題】 再生感度及びノイズ特性の良好な磁気ヘッドを提供する。【解決手段】MR素子は、磁気抵抗効果膜210と、第1の磁気シールド膜400と、第2の磁気シールド膜310を含む。磁気抵抗効果膜210は、外部磁界に応答する磁界応答膜211を、少なくとも一つ含む。第1の磁気シールド膜400及び第2の磁気シールド膜310は、磁気抵抗効果膜210の両側に配置されている。第1の磁気シールド膜400は、飽和磁束密度が磁界応答膜211の飽和磁束密度よりも小さい磁性膜400を含む。磁性膜400は磁界応答膜211に近い位置を占める。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗効果型磁気変換素子を含む磁気ヘッドであって、前記磁気抵抗効果型磁気変換素子は、磁気抵抗効果膜と、第1の磁気シールド膜と、第2の磁気シールド膜を含み、前記磁気抵抗効果膜は、外部磁界に応答する磁界応答膜を、少なくとも一つ含んでおり、前記第1の磁気シールド膜及び前記第2の磁気シールド膜は、前記磁気抵抗効果膜の両側に配置されており、前記第1の磁気シールド膜及び前記第2の磁気シールド膜の少なくとも一方は、飽和磁束密度が前記磁界応答膜の飽和磁束密度よりも小さい磁性膜を含んでおり、前記磁性膜は、前記磁気シールド膜において、前記磁界応答膜に近い位置を占める磁気ヘッド。
引用特許：
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