特許

J-GLOBAL ID：200903090801877154

半導体ガスの精製法

発明者： サテリア・セイリム ,  アーサー・エドワード・ホールマー ,  ロナルド・ウィリアム・シュルーズベリー
出願人/特許権者： プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 倉内 基弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-378223
公開番号（公開出願番号）：特開2002-255542
出願日： 2001年12月12日
公開日（公表日）： 2002年09月11日
要約：

【要約】【課題】 不純ガスを精製して超高純度ガスを製造する方法を提供する。【解決手段】 a)不純液化ガスを第一吸収手段に通してその中の液相から不純物を除去して第一精製流体を生成する工程、b)第一精製流体を蒸発手段に通してその中の不純物を除去して第二精製ガスを生成する工程、及びc)第二精製ガスを第二吸収手段に通してその中の蒸気相から不純物を除去して超高純度ガスを生成する工程からなることを構成要件とする。

請求項（抜粋）：

不純ガスを精製して超高純度ガスを製造する方法において、(a)不純液化ガスを第一吸収手段に通してその中の液相から不純物を除去して第一精製流体を生成し、(b)第一精製流体を蒸発手段に通してその中の不純物を除去して第二精製ガスを生成し、そして(c)第二精製ガスを第二吸収手段に通してその中の蒸気相から不純物を除去して超高純度ガスを生成する、各工程を含む超高純度ガスの製造法。

IPC (4件)：

C01C 1/02 ,  B01D 15/00 ,  B01D 53/26 101 ,  B01D 53/28

FI (4件)：

C01C 1/02 E ,  B01D 15/00 L ,  B01D 53/26 101 C ,  B01D 53/28

Fターム (6件)：

4D017AA13 ,  4D017BA01 ,  4D017CA01 ,  4D017EB06 ,  4D052AA02 ,  4D052HA03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 高純度窒素の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-240904   出願人：株式会社日立製作所
• 高純度液体窒素の製造方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-325828   出願人：レール・リキード・ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
• 特開平4-156913
  
• 特開平4-156913