特許
J-GLOBAL ID：200903090810981207
薄膜のドライエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-122831
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335614
出願日： 1994年06月03日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、絶縁性透明基板のような絶縁膜上に成膜され表示パネル等の透明電極として機能する透明導電薄膜のドライエッチング方法に関し、平行平板型エッチング装置を用い、RIEモードでドライエッチングする際、エッチングガスの組成を替えて2ステップでエッチングを行うことにより、透明導電薄膜の膜質によらず高速にエッチングが可能であり、量産性を損なうことなく透明導電薄膜の膜質を最適にし、且つ、マスクに忠実なパターニングを可能にすることを目的とする。【構成】 透明導電薄膜をドライエッチングする際に、エッチング初期は還元性ガス主体のガス組成により反応性が高まるまで処理を行う工程と、続いて有機系ガス主体のガス組成に切り換えてエッチングする工程とを含み、エッチングガス組成の切り換えポイントを検出する手段として、透明導電薄膜を構成する主要金属元素のエッチング中の発光強度をモニタリングするように構成する。
請求項（抜粋）：
透明絶縁性基板上の透明導電薄膜をドライエッチング法により所定形状にパターニングする際、平行平板型エッチング装置を用い、カソードカップリング型の反応性イオンエッチング(以下RIEと略す)モードにより有機系ガスと還元性ガスとの混合ガスにて行うドライエッチング方法において、透明導電薄膜の反応性が低いエッチング初期は、還元性ガス主体のガス組成により透明導電薄膜の反応性が高まるまで処理を行い、続いて有機系ガス主体のガス組成に切り換えて透明導電薄膜をエッチングすることを特徴とする薄膜のドライエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/302 F
, H01L 29/78 311 Y
