特許

J-GLOBAL ID：200903090811172264

半導体装置

発明者： 伊藤 治 ,  後藤 誠
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-106490
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299410
出願日： 1999年04月14日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】【課題】 半導体チップの側面における封止樹脂の被覆長さを常に一定なものとすることによって、ヒートサイクル耐性に優れ、コスト的にも有利な半導体装置を提供する。【解決手段】 一方の面に所定のパターンの配線層2を形成した絶縁フィルム1と、配線層2に熱応力緩和層3を介して搭載した半導体チップ3と、貫通孔8を通して配線層2の所定の個所に接続し、絶縁フィルム1の他方の面にアレイ状に配置した半田ボール7と、半導体チップ4の電極10に接合した配線層2のリード9と、リード9と電極10の周囲に形成した封止樹脂11から構成される半導体装置において、半導体チップ4の側面に樹脂止め部5を形成し、封止樹脂11をこの樹脂止め部5まで延ばして形成することによって、半導体チップ4の所定の区域6を封止樹脂11で被覆する。

請求項（抜粋）：

絶縁フィルムの一方の面に所定のパターンの配線層を形成し、他方の面に前記配線層に接続された半田ボールを配置し、前記配線層を半導体チップの電極に接続して封止樹脂で封止した半導体装置において、前記封止樹脂は、前記半導体チップの側面に形成された樹脂止め部まで延びて形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/28 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/301 ,  H01L 23/12

FI (4件)：

H01L 23/28 C ,  H01L 21/56 E ,  H01L 21/78 Q ,  H01L 23/12 L

Fターム (13件)：

4M109AA01 ,  4M109BA05 ,  4M109CA06 ,  4M109DA04 ,  4M109DA07 ,  4M109DB06 ,  4M109DB12 ,  4M109DB17 ,  4M109EE02 ,  5F061AA01 ,  5F061BA05 ,  5F061CA06 ,  5F061CB02