特許
J-GLOBAL ID：200903090811323564
半導体集積回路装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-031405
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232198
出願日： 1999年02月09日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：
【要約】【課題】 半導体チップの端子部と基板の回路パターンとの接続距離を短くするとともに、半導体チップから生ずる熱を効率よく外部に放散する。【解決手段】 半導体集積回路装置10は、基板12の下面26に第1の半導体チップ16が開口14を覆ってフェースダウンボンディングによって搭載してある。第1の半導体集積回路装置16の周囲には、複数の半田ボール20がマトリックス状に設けてある。基板12の上面27には、開口14を覆って第2の半導体チップ2がフェースダウンボンディングにより搭載してある。開口14および各半導体チップ16、22と基板12との間には、高い熱伝導性を有する封止樹脂28が充填してある。
請求項（抜粋）：
チップ搭載領域に開口が設けてあるとともに、両側面に回路パターンが形成してある基板と、前記開口を覆って前記基板の一側面に搭載され、端子部を一側面の前記回路パターンに電気的に接続した第1の半導体チップと、この第1の半導体チップの対向位置に配置され、端子部を前記基板の他側面の前記回路パターンに電気的に接続した第2の半導体チップと、を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
