特許

J-GLOBAL ID：200903090811338880

有機半導体マトリックス材料、有機半導体および電子部品用のn-ドーパントとしての金属錯体の使用、並びにドーパントおよびリガンドとそれらの製造方法

発明者： アンスガー、ベルナー ,  オラフ、キュール ,  ジーモン、ゲスラー ,  ケンタロウ、ハラダ ,  ホルスト、ハルトマン ,  アンドレ、グリュッシング ,  ミヒャエル、リンメルト ,  アンドレア、ルックス
出願人/特許権者： ノバレット、アクチェンゲゼルシャフト
代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  中村 行孝 ,  紺野 昭男 ,  横田 修孝 ,  高村 雅晴
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-501110
公開番号（公開出願番号）：特表2007-526640
出願日： 2005年03月03日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：

本発明は、電気特性を変えるために有機半導体マトリックス材料にドープするためのn-ドーパントとしての金属錯体の使用に関し、該化合物はマトリックス材料へのn-ドーパントとなる。高い導電率を達成しながら低い還元電位を有するマトリックス材料であっても、n-ドープ有機半導体を提供するために、少なくとも16の価電子数の、好ましくは中性のまたは荷電した遷移金属原子として、中心原子を有する、中性で電子に富む金属錯体を、ドーパント化合物として用いることが提案される。該錯体は特に多核であり、少なくとも1つの金属-金属結合を有している。少なくとも1つのリガンドは中心原子とπ錯体を形成してもよい;それは架橋リガンド、特にhpp、ボレート、カルボランまたはトリアザシクロアルカンでもよく、または少なくとも1つのカルバニオン-炭素原子またはグループC(カルベン)、Si(シリレン)、Ge(ゲルミレン)、Sn、Pbから選択される二価原子を含有してもよい。本発明は、更に、新規のn-ドーパントおよびそれらの製造方法に関する。

請求項（抜粋）：

金属錯体が有機半導体マトリックス材料へのn-ドーパントとなる、電気特性を変えるために有機半導体マトリックス材料にドープするためのドーパントとしての金属錯体の使用、または電気機能的に有効な部分が金属錯体を含有した電子機器を製造するための金属錯体の使用であって、 金属錯体が中性で電子に富む金属錯体であることを特徴とする使用。

IPC (3件)：

H01L 51/30 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40

FI (3件)：

H01L29/28 220A ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310A

Fターム (19件)：

4C055AA01 ,  4C055BA02 ,  4C055BA08 ,  4C055BA27 ,  4C055BB04 ,  4C055CA01 ,  4C055CB01 ,  4C055DA01 ,  4C055EA01 ,  4C055GA02 ,  4H050AA01 ,  4H050AA02 ,  4H050AA03 ,  4H050AB91 ,  4H050BB11 ,  4H050BB15 ,  4H050BB25 ,  4H050WB14 ,  4H050WB21