特許
J-GLOBAL ID：200903090817427400
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-311217
公開番号（公開出願番号）：特開平6-139373
出願日： 1992年10月27日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】 シングルチップマイクロコンピュータ等の低消費電力モードにおけるリーク電流を低減する。これにより、低消費電力モードを備えるシングルチップマシンサイクル等の製品歩留まりを高め、その信頼性を高める。【構成】 シングルチップマイクロコンピュータ等の外部電源電圧供給端子VCCと中央処理ユニットモジュールCPU,メモリモジュールMEM,周辺デバイスモジュールPER及び入出力バッファモジュールIOとの間に、通常の動作モードにおいて外部電源電圧VCCをそのまま伝達し、低消費電力モードにおいて外部電源電圧VCCを所定の電位にクランプして伝達するスイッチ回路S1〜S4を設け、各モジュールの電源電圧の絶対値を低消費電力モードにおいて選択的に小さくする。これにより、シングルチップマイクロコンピュータ等の通常の動作モードにおける性能を保持しつつ、低消費電力モードにおけるリーク電流を抑制し、製品出荷後におけるリーク障害の発生確率を抑制する。
請求項（抜粋）：
その消費電力が選択的に小さくされる低消費電力モードを備え、上記低消費電力モードにおいてその所定の内部回路に供給される電源電圧の絶対値が通常の動作モードでの上記内部回路に供給される電源電圧の絶対値に比較して小さくされることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
G06F 15/78 510
, G06F 1/32
, G06F 1/04 301
