半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-108213
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299318
出願日： 1999年04月15日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】【課題】ドライエッチング選択比を改良した層間絶縁膜を有する半導体装置を提供すること。【解決手段】基板上に、材質の異なる複数の積層膜から構成された層間絶縁膜を設け、積層膜の内の少なくとも一層、好ましくは最下層、をアルミニウム酸化膜206又はボロン窒化膜とした半導体装置。層間絶縁膜に設けられた複数の溝の中にCu配線214’が配置され、層間絶縁膜により隣接するこのCu配線214’が分離される。アルミニウム酸化膜206の上に位置する層は、低誘電率絶縁膜、例えば、有機SOG膜207とする。

請求項（抜粋）：

基板上に、材質の異なる複数の積層膜から構成された層間絶縁膜を有し、該積層膜の内の少なくとも一層は、アルミニウム酸化膜を主成分とする絶縁膜又はボロン窒化膜を主成分とする絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/316 , H01L 21/3065 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/316 Y , H01L 21/302 J , H01L 21/88 B , H01L 21/90 K

Fターム (69件)：

5F004AA02 , 5F004AA16 , 5F004CB20 , 5F004DA00 , 5F004DA11 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB13 , 5F004EA06 , 5F004EB03 , 5F033HH11 , 5F033HH33 , 5F033JJ19 , 5F033KK19 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033QQ75 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR24 , 5F033RR25 , 5F033RR26 , 5F033SS01 , 5F033SS04 , 5F033SS08 , 5F033SS09 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033TT04 , 5F033WW02 , 5F033WW09 , 5F033XX01 , 5F033XX24 , 5F033XX27 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058BA20 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD10 , 5F058BD18 , 5F058BD19 , 5F058BF02 , 5F058BF07 , 5F058BF13 , 5F058BF27 , 5F058BF46 , 5F058BJ01 , 5F058BJ02

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