特許

J-GLOBAL ID：200903090830496658

フォトダイオード間の漏れ電流を防止できるイメージセンサ及びその製造方法

発明者： 韓 鎭 洙
出願人/特許権者： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
代理人 (1件)： 瀬谷 徹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-212543
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134730
出願日： 2001年07月12日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】 ピンドフォトダイオードの特性劣化を抑制するとともに、隣接するピンドフォトダイオード間の漏れ電流を抑制するイメージセンサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 第1導電型の半導体基板内にフォトダイオード領域を備えるイメージセンサにおいて、半導体基板に局部的に形成されたフィールド絶縁膜202と、フィールド絶縁膜下部の半導体基板に形成されたフィールドストップ不純物層203と、半導体基板内に形成されてフォトダイオード領域を取り囲むトレンチ部205と、トレンチ部を含むフォトダイオード領域の半導体基板の表面下部に形成された第1導電型の不純物層206と、トレンチ部内に埋め込まれた絶縁膜207と、フォトダイオード領域の半導体基板内部に形成された第2導電型の不純物層208とを含む。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板内にフォトダイオード領域を備えるイメージセンサにおいて、前記半導体基板に局部的に形成されたフィールド絶縁膜と、前記フィールド絶縁膜下部の半導体基板に形成されたフィールドストップ不純物層と、前記半導体基板内に形成されて前記フォトダイオード領域を取り囲むトレンチ(trench)部と、前記トレンチ部を含むフォトダイオード領域の前記半導体基板の表面下部に形成された第1導電型の不純物層と、前記トレンチ部内に埋め込まれた絶縁膜と、前記フォトダイオード領域の半導体基板内部に形成された第2導電型の不純物層とを含むことを特徴とするフォトダイオード間の漏れ電流を防止できるイメージセンサ。

IPC (4件)：

H01L 27/146 ,  H01L 21/76 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (6件)：

H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 A ,  H01L 21/76 M ,  H01L 21/76 L ,  H01L 21/76 S ,  H01L 31/10 A

Fターム (34件)：

4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA17 ,  4M118EA01 ,  4M118EA16 ,  4M118FA26 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GY31 ,  5F032AA13 ,  5F032AA35 ,  5F032AA43 ,  5F032AA44 ,  5F032AA63 ,  5F032AC01 ,  5F032BB01 ,  5F032CA15 ,  5F032DA43 ,  5F032DA44 ,  5F049MA04 ,  5F049NA05 ,  5F049NB03 ,  5F049PA10 ,  5F049PA14 ,  5F049QA04 ,  5F049QA20 ,  5F049RA04 ,  5F049SS03