特許

J-GLOBAL ID：200903090834994288

半導体チップの静電破壊防止方法

発明者： 彦坂 匡介 ,  河本 利和 ,  大関 正志
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-164655
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022529
出願日： 1993年07月02日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】 半導体チップ内部に保護回路を設けることなく静電破壊を防止する方法を提供する。【構成】 すべてのアウターリード3間を、導電性を有する枠体(導電部材)1によって相互に電気的に接続する。これによって、すべてのアウターリード3間が導通されて同電位となり、半導体チップの回路内には電流が流れないため、過電圧がかかることなく静電破壊が防止される。

請求項（抜粋）：

すべてのアウターリード間が導電部材で相互に電気的に接続されて同電位に保たれ、電荷の移動が阻止されることにより静電破壊が防止されることを特徴とする半導体チップの静電破壊防止方法。