特許

J-GLOBAL ID：200903090839783056

薄膜トランジスタ、アレイ基板、液晶表示装置、有機EL表示装置およびその製造方法

発明者： 諸沢 成浩
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-234443
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050764
出願日： 2000年08月02日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】 多結晶シリコントランジスタは、ソースおよびドレイン領域の形成のために高温の熱処理工程を必要とし、ソースおよびドレイン領域からの不純物拡散により微細なトランジスタを形成することが困難である。【解決手段】 多結晶シリコントランジスタのソースおよびドレイン領域にゲルマニウムイオンを注入することにより、シリコンゲルマニウム領域を形成する。その結果、低温においてもソースおよびドレイン領域の不純物を活性化することが可能となる。また、低温での活性化が可能となるため、ソースおよびドレイン領域からの不純物の拡散が抑制され、微細なゲート長のトランジスタ形成が可能となる。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタにおいて、ソースおよびドレイン部がチャネル領域と相違する材料で形成されており、かつ、前記チャネル領域に用いられている材料の融点は前記ソースおよびドレイン領域の材料よりも融点の高い半導体により形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365

FI (4件)：

G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  H01L 29/78 616 V ,  G02F 1/136 500

Fターム (87件)：

2H092JA29 ,  2H092JA36 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JA44 ,  2H092JA46 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB33 ,  2H092JB38 ,  2H092JB51 ,  2H092JB56 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA27 ,  2H092MA28 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092NA22 ,  2H092NA25 ,  2H092PA06 ,  5C094AA13 ,  5C094AA24 ,  5C094AA31 ,  5C094AA43 ,  5C094AA48 ,  5C094AA53 ,  5C094AA55 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DB04 ,  5C094EB02 ,  5C094FA01 ,  5C094FB02 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5C094JA01 ,  5C094JA20 ,  5F110AA04 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110AA09 ,  5F110AA17 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE04 ,  5F110EE08 ,  5F110EE32 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ02 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110PP03 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25