特許
J-GLOBAL ID：200903090842474293
基板熱処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-132633
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321023
出願日： 1994年05月23日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】 気流の乱れを抑制することによって基板面内の熱履歴を均一にすることができる基板熱処理装置を提供する。【構成】 ガス供給ダクト7は、継手8を介して外部からガスの供給を受けるとともに、そのガス流量は継手8に接続されたガス供給配管8aに配設されている流量調整弁V2 によって調整される。さらに熱処理雰囲気Cに供給されたガスは、継手9を介して排気管9aから排気される。この排気の流量は、流量調整弁V1 によって調整される。制御部30は、エアシリンダ14を収縮駆動すると同時に、流量調整弁V1 ,V2 を閉止する。そして基板Wを基板給排口5から受入れてリフトピン11で支持する。次に制御部30はエアシリンダ14を収縮駆動して基板Wを基板載置プレート1に載置すると同時に、流量調整弁V1 ,V2 を開放して基板Wの不要な反応を抑えつつ基板Wの周囲を清浄に保つ。
請求項（抜粋）：
基板を加熱または冷却するための手段を備えた基板載置プレートと、前記基板載置プレートに対して基板を相対昇降させる基板昇降手段と、前記基板載置プレートの周囲に形成される熱処理雰囲気に不活性ガスや表面処理用のガスを供給するためのガス供給手段と、熱処理雰囲気中のガスを排気するための排気手段と、を備えた基板熱処理装置において、前記排気手段に第1開閉手段を配設するとともに、前記基板昇降手段によって前記基板載置プレートに基板が載置され、基板が熱処理されている間(熱処理時間中)は、前記ガス供給手段によって熱処理雰囲気中にガスを供給しつつ前記第1開閉手段を開放して熱処理雰囲気中のガスを排気し、基板が熱処理されていない間(熱処理時間外)は、前記第1開閉手段を閉止して熱処理雰囲気中のガスの排気を阻止するように前記第1開閉手段を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする基板熱処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, H01L 21/324
