特許

J-GLOBAL ID：200903090851802791

半導体ウエハおよびその製造方法ならびに半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 鈴木 範夫 ,  清田 省吾 ,  清水 博文 ,  斎藤 滋晃 ,  佐藤 友美 ,  松田 安司 ,  杉野 雄史 ,  田中 利秀 ,  磯前 誠一 ,  武田 一男 ,  石原 徹也
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-007006
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209170
出願日： 1997年01月17日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】 ゲッタリング能力およびゲート酸化膜特性(GOI)の向上したMISデバイス用エピタキシャルウエハを安価に提供する。【解決手段】 チョクラルスキ(CZ)法によって製造した単結晶シリコンウエハの主面上にエピタキシャル層を成長させた本発明のエピタキシャルウエハは、エピタキシャル成長後の単結晶シリコンウエハの微少欠陥密度が1×106 〜1×109 個/cm3である。また、エピタキシャル層は、その膜厚が0.3〜3μmであり、単結晶シリコンウエハ1と同一導電型の不純物(ホウ素)を3×1016atoms/cm3 未満含んでいる。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキ法によって製造した単結晶シリコンウエハの主面上にエピタキシャル層を成長させた半導体ウエハであって、エピタキシャル成長後の前記単結晶シリコンウエハの微少欠陥密度(BMP密度)が1×106〜1×109 個/cm3であることを特徴とする半導体ウエハ。

IPC (13件)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/8244 ,  H01L 27/11 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/205

FI (8件)：

H01L 21/322 Y ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/08 102 C ,  H01L 27/10 381 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 621 B ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 371