特許

J-GLOBAL ID：200903090853401697

基材又は基盤表面の接触角の増加防止方法及び装置

発明者： 藤井 敏昭 ,  鈴木 英友 ,  鈴木 作 ,  坂本 和彦
出願人/特許権者： 荏原インフィルコ株式会社 ,  株式会社荏原総合研究所
代理人 (1件)： 吉嶺 桂 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-180538
公開番号（公開出願番号）：特開平6-000324
出願日： 1992年06月16日
公開日（公表日）： 1994年01月11日
要約：

【要約】【目的】 半導体製品の生産性を低下させる原因となる接触角を増加する汚染物質を効果的に除去できる接触角の増加防止方法を提供する。【構成】 基材又は基盤表面の接触角の増加を防止する方法において、該基材又は基盤と接触する気体を、ガラス及び/又はフッ素樹脂を含有する除去手段により、該気体中の有害物質を除去して、前記基材又は基盤と接触させることとしたものであり、また、その装置は該基材又は基盤と接触する気体を通す、有害物質を除去するためのガラス4-1及び/又はフッ素樹脂4-2を充填した除去装置4を備えたこととした。

請求項（抜粋）：

基材又は基盤表面の接触角の増加を防止する方法において、該基材又は基盤と接触する気体を、ガラス及び/又はフッ素樹脂を含有する除去手段により、該気体中の有害物質を除去して、前記基材又は基盤と接触させることを特徴とする接触角の増加防止方法。

IPC (3件)：

B01D 53/34 ,  B08B 5/00 ,  H01L 21/02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-119200