半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-143196
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332210
出願日： 1999年05月24日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 DRAMメモリセルとロジック回路を一つの半導体基板上に形成する半導体装置の製造方法において、DRAMメモリセルでのリーク電流が抑制されてリフレッシュ特性を向上させることができ、信頼性が向上するとともに消費電力が抑制され、ワンチップ化による集積回路の高機能化と高速化を図ることができる半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。【解決手段】ゲート電極となるポリシリコン層6を形成した後、DRAMメモリセルのソース・ドレイン領域10および11を覆い、それ以外のソース・ドレイン領域12ないし15およびポリシリコン層6を露出するシリコン窒化膜8および81を形成してから、サリサイド法により金属シリサイド層7を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主表面に配設された第1および第2の活性領域を取り囲む分離絶縁膜を形成する工程と、前記第1および第2の活性領域表面上に、ゲート電極となるパターニングされたポリシリコン層をゲート酸化膜を介して形成する工程と、前記ポリシリコン層をマスクとして不純物をイオン注入し、前記第1の活性領域に第1のソース領域およびドレイン領域と、前記第2の活性領域に第2のソース領域およびドレイン領域とを形成する工程と、前記第1および第2の活性領域を覆う第1のシリコン窒化膜を形成する工程と、前記第2の活性領域上に開口を有するフォトレジストマスクを前記第1のシリコン窒化膜表面上に形成して、前記第1のシリコン窒化膜をエッチングし、前記第2の活性領域表面上の前記ポリシリコン層にサイドウォールを形成する工程と、前記フォトレジストマスクを除去する工程と、前記第1および第2の活性領域を覆うシリコン酸化膜を形成する工程と、前記第1および第2の活性領域表面上の前記シリコン酸化膜および前記第1のシリコン窒化膜を除去して、前記第1の活性領域表面上の前記ポリシリコン層が露出するまで平坦化する工程と、残った前記シリコン酸化膜を除去する工程と、第1および第2の活性領域を覆う金属層を形成する工程と、熱処理によって前記第2のソース領域およびドレイン領域表面と、前記第1および第2の活性領域表面上の前記ポリシリコン層表面に金属シリサイド層を形成する工程と、未反応の前記金属シリサイド層を除去する工程と、前記第1のソース領域およびドレイン領域のいずれか一方に接続するキャパシタを形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法。

IPC (9件)：

H01L 27/10 461 , H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (7件)：

H01L 27/10 461 , H01L 21/28 301 D , H01L 21/28 301 T , H01L 27/08 102 D , H01L 27/08 321 K , H01L 27/08 321 F , H01L 27/10 621 Z

Fターム (58件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB25 , 4M104BB26 , 4M104BB28 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD37 , 4M104DD80 , 4M104DD84 , 4M104FF14 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG16 , 4M104HH14 , 5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB16 , 5F048BC05 , 5F048BC18 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF16 , 5F048BG14 , 5F048DA21 , 5F048DA27 , 5F083AD21 , 5F083AD56 , 5F083GA02 , 5F083GA06 , 5F083GA30 , 5F083JA39 , 5F083JA53 , 5F083JA56 , 5F083MA03 , 5F083MA19 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083PR33 , 5F083PR36 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083ZA06 , 5F083ZA07 , 5F083ZA12 , 5F083ZA13 , 5F083ZA28

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