特許
J-GLOBAL ID：200903090854025770
パターン形成方法及び装置並びに半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-173528
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026344
出願日： 1997年06月30日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【目的】周期的に繰り返す微小パターンを量産性・位置制御性共に優れた方法で形成できるパターン形成方法と装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。【構成】レーザ光を四つの光束2a、2a ́、2b、2b ́に分割した後、所定の角度2θで相対する同一位相の二光束同士を所定の角度で合波することで干渉光パターン(暗い領域A、明るい領域B)を生ぜしめ、このマスク機能を有する干渉光を用いて試料基板面1上のフォトレジスト膜を露光し、現像して二次元的に配列したフォトレジストパターンを形成する。干渉光のパターン形状は、相対する二光束同士を交叉させ際の交叉角度、パターンの周期はレーザ光の波長λと相対する二光束の対向角θによって決められる。【効果】マスク機能を有する干渉光パターンで露光すると云う容易な手法で量子ドット作製に適したレジストパターンが形成できる。
請求項（抜粋）：
レーザ光を四つの光束に分割した後、所定の角度で相対する同一位相の二光束同士を所定の角度で合波することにより規則的な周期と形状の干渉光パターンを形成せしめ、この干渉光パターンで予め基板面上に形成したフォトレジスト膜を露光する工程と、露光後のフォトレジスト膜を現像する工程とを有して成り、それによって基板面上に干渉光パターン形状に見合った二次元的に配列されたフォトレジストパターンを形成するように構成して成るパターン形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 505
, H01L 21/203
, H01L 29/06
H01L 21/30 528
, G03F 7/20 505
, H01L 21/203 M
, H01L 29/06
, H01L 21/30 502 C
