特許
J-GLOBAL ID：200903090854510384
高周波用半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-222461
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067969
出願日： 1997年08月19日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 従来の高周波用半導体装置においては、基板上の配線と高周波用半導体素子との接続部において特性インピーダンスの不整合が生じ、使用周波数帯における高周波信号の伝送損失が大きくなってしまう。【解決手段】 下面に接続用電極が形成された高周波用半導体素子14を、上面に接続用電極に対応した電極パッド15が配設された基板11に、接続用電極と電極パッド15との間に導電性接続部材を介して物理的および電気的に接続して成る高周波用半導体装置において、電極パッド15に高周波信号に対する同調用導体パターン16を付加したことにより、基板11の配線導体パターン12と高周波用半導体素子14との特性インピーダンスの整合をとることができ、接続部における伝送損失を抑制することができる。
請求項（抜粋）：
下面に接続用電極が形成された高周波用半導体素子を、上面に前記接続用電極に対応した電極パッドが配設された基板に、前記接続用電極と前記電極パッドとの間に導電性接続部材を介して物理的および電気的に接続して成る高周波用半導体装置において、前記電極パッドに、高周波信号に対する同調用導体パターンが付加されていることを特徴とする高周波用半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/12 301
, H01L 23/12
, H05K 1/18
H01L 23/12 301 L
, H05K 1/18 L
, H01L 23/12 Z
